Tagasi otsingusse
Polyakov et al., 1996b
Investigation of the space charge regime of epitaxially grown GaAs (100) by high-resolution electron energy-loss spectroscopy
Polyakov, V., Elbe, A., Wu, J., Lapeyre, G., Schaefer, J.
| DOI | 10.1016/S0169-4332(96)00116-X |
|---|---|
| Aasta | 1996 |
| Ajakiri | Applied Surface Science |
| Köide | 104-105 |
| Leheküljed | 24-34 |
| Tüüp | artikkel ajakirjas |
| Eesti autor | |
| Keel | inglise |
| Id | 34259 |
Viimati muudetud: 11.10.2021